发明名称 |
一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路 |
摘要 |
本发明提供一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,包含主控制器、共享数据缓存区单元和NAND flash接口控制逻辑单元。其享数据缓存区单元由数据缓存区、数据缓存区地址列表以及数据缓存区地址FIFO构成。数据缓存区、数据缓存区地址列表和数据缓存区地址FIFO可采用寄存器(flip-flop)、锁存器(latch)、SRAM、或者芯片外SDRAM、DDRSDRAM实现。采用上述共享数据缓存区可减小多通道NAND flash控制器的数据缓存区容量,能够有效降低控制器芯片设计面积,且保证数据传输的时间,满足应用需求。 |
申请公布号 |
CN102097122B |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN200910200245.8 |
申请日期 |
2009.12.10 |
申请人 |
上海华虹集成电路有限责任公司 |
发明人 |
迟志刚 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 |
代理人 |
曹立维 |
主权项 |
一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,包含主控制器、共享数据缓存区单元及NAND flash接口控制逻辑单元,共享数据缓存区单元由数据缓存区、数据缓存区地址列表以及数据缓存区地址FIFO构成,主控制器与共享数据缓存区单元连双向通信连接,共享数据缓存区单元与多通道NAND flash接口控制逻辑单元双向通信连接,其特征在于多个NAND flash接口控制逻辑单元同时对数据缓存区进行读写。 |
地址 |
201203 上海市碧波路572弄39号 |