发明名称 一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路
摘要 本发明提供一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,包含主控制器、共享数据缓存区单元和NAND flash接口控制逻辑单元。其享数据缓存区单元由数据缓存区、数据缓存区地址列表以及数据缓存区地址FIFO构成。数据缓存区、数据缓存区地址列表和数据缓存区地址FIFO可采用寄存器(flip-flop)、锁存器(latch)、SRAM、或者芯片外SDRAM、DDRSDRAM实现。采用上述共享数据缓存区可减小多通道NAND flash控制器的数据缓存区容量,能够有效降低控制器芯片设计面积,且保证数据传输的时间,满足应用需求。
申请公布号 CN102097122B 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN200910200245.8 申请日期 2009.12.10
申请人 上海华虹集成电路有限责任公司 发明人 迟志刚
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 代理人 曹立维
主权项 一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,包含主控制器、共享数据缓存区单元及NAND flash接口控制逻辑单元,共享数据缓存区单元由数据缓存区、数据缓存区地址列表以及数据缓存区地址FIFO构成,主控制器与共享数据缓存区单元连双向通信连接,共享数据缓存区单元与多通道NAND flash接口控制逻辑单元双向通信连接,其特征在于多个NAND flash接口控制逻辑单元同时对数据缓存区进行读写。
地址 201203 上海市碧波路572弄39号