发明名称 用于大功率LED灯的高反射率纳米膜层及其镀膜方法
摘要 本发明公开了一种用于大功率LED灯的高反射率纳米膜层,包含Al2O3、Al和SiO2三种组成成分,且应用真空离子磁控溅镀技术镀在LED灯的光反射表面。还公开了制备这种高反射率纳米膜层的镀膜方法,依次包括等离子体表面改质处理、镀Al2O3层、镀Al层、镀SiO2层和膜质老化处理几个步骤。本发明制备的膜层具有高反射率、抗氧化性好的特点,镀膜过程一次性成膜,无需组装,可用于连续批量化的工业化生产,生产效率和产品良品率较高。
申请公布号 CN101949003B 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201010214452.1 申请日期 2010.06.30
申请人 苏州爱迪尔镀膜科技有限公司 发明人 戴明光;陈浩
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;F21V7/22(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 范晴
主权项 一种用于大功率LED灯的高反射率纳米膜层的镀膜方法,其特征在于包含如下步骤:步骤SI:将需镀膜的LED灯放入第一真空室(1),并充入氧气;步骤S2:对LED灯的光反射表面进行等离子体表面改质处理;步骤S3:装有Al靶材的第二真空室(2)内放入需镀膜的LED灯,并充入氧气和氩气,进行真空离子磁控溅镀Al2O3层;步骤S4:装有Al靶材的第三真空室(3)内放入需镀膜的LED灯,并充入氩气,进行真空离子磁控溅镀Al层;步骤S5:装有Si靶材的第四真空室(4)内放入需镀膜的LED灯,并充入氧气和氩气,进行真空离子磁控溅镀SiO2层;步骤S6:用于膜质老化处理的第五真空室(5)内放入已镀膜的LED灯,并抽真空,通过若干次反复的快速降温和升温,对膜质进行老化处理,稳定膜质;步骤S7:破真空,镀膜工序完成,膜层厚0.1um;步骤S3和步骤S5中充入的氧气分别占在该步骤中充入气体总体积的5%~35%。
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