应用于超薄晶片背面处理工艺的方法

摘要

本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法。完成该方法的装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用，包括具有金属化侧壁的芯片的制造。

主权项

一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将晶片作半切割；将半切割后的晶片转移到包括环和带的支撑结构上；研磨晶片背面以分离芯片；和处理芯片的背面，将金属淀积到分离的多个芯片的背面和侧壁上，在所述金属淀积步骤期间，将所述带夹持到具有曲面的结构上。