发明名称 一种霍山石斛种苗繁殖方法
摘要 本发明涉及一种霍山石斛种苗的繁殖方法,本方法包括外植体的获取、无菌播种、原球茎诱导、人工授粉、壮苗培养及试管苗移栽各步骤。选取生长健壮的开花的霍山石斛株作为母株,通过人工授粉获得果实,再从成熟的果实中取出种子,用种子萌发培养基培养,使种子萌发成原球茎并进一步形成小苗,再将小苗用试管开花培养基培养,开花后在无菌条件下进行人工授粉,从成熟的果实中取出种子进行无菌播种,使种子长成小植株,形成可出瓶种植的种苗,进一步将种苗出瓶移栽,即可。本发明操作简单,成本低廉,缩短霍山石斛果实的成熟期,高效、无病虫害,能终年生产霍山石斛种子,成苗的移栽成活率可达96%以上,为霍山石斛种苗的繁殖开辟了一条新的途径。
申请公布号 CN102283120B 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201110191417.7 申请日期 2011.07.11
申请人 安徽康顺名贵中草药产业开发有限公司 发明人 汤海荣
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 方琦
主权项 1.一种霍山石斛种苗繁殖方法,其特征在于,包括以下的工艺步骤:(1) 外植体获取:在人工种植的霍山石斛开花时,选取生长健壮的母株进行人工授粉,并将人工授粉而来的成熟果实作为外植体;(2) 原球茎诱导:将外植体依次用酒精浸泡28-32 秒,质量分数0.2%的升汞溶液消毒25-35 分钟,无菌水漂洗4-5次后切开,将胚接种到种子萌发培养基KnP1上萌发成原球茎, 并进一步分化成小苗;(3) 人工授粉:将步骤(2)分化出的小苗转移到试管开花培养基KnP2上培养,待开花后,选取生长健壮的开花株在无菌条件下进行人工授粉; (4)无菌播种:果实成熟后切开进行无菌播种,种子萌发形成原球茎,并进一步形成完整的小植株;(5)壮苗培养:将小植株转移到玻璃瓶壮苗培养基KnP3上培养,形成成苗; (6) 玻璃瓶苗出瓶移栽:将栽有成苗的玻璃瓶转移到自然光下炼苗8-12 天,光照度1500~2000lx, 光照9-12小时/天,然后将成苗从玻璃瓶中取出,洗净根部的培养基,在木屑的基质中栽培,保持适当通风和足够的湿度;上述步骤中培养基组分及含量配比如下:种子萌发培养基KnP1:<img file="FDA0000202162471.GIF" wi="1731" he="1203" /><img file="FDA0000202162472.GIF" wi="1731" he="584" />试管开花培养基KnP2:KnP1培养基6-BA        1.0 mg/LNAA         0.1 mg/L;壮苗培养基KnP3:MS或B5培养基 6-BA        0.4-0.6 mg/LNAA         0.8-1.2 mg/L;上述步骤中所有的培养基pH 5.1~5.4,培养温度(26±2)℃。
地址 237200 安徽省六安市霍山县衡山镇中兴南路42号(3楼305)