硅片的制造方法

摘要

本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。

主权项

一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出硅块的步骤、以及由具有预定的侧面的表面粗糙度的硅块切出具有预定的厚度的硅片的步骤，其特征在于，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上并且5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上并且95℃以下的温度下使用所述浆液，在所述预定的厚度被选定时，所述预定的表面粗糙度被设定成在上限值以下，使得在该取值范围内，不管所述表面粗糙度怎样变化基板损坏改善率I都几乎显示恒定值、并且所述基板损坏改善率I为80％以上，所述基板损坏改善率I＝｛A（3.5，240）‑A（Ry，t）｝/｛A（3.5，240）‑A（0.8，330）｝，其中，Ry为所述硅块的侧面的表面粗糙度，t为所述硅片的厚度，A（Ry，t）为使用由侧面的表面粗糙度Ry的硅块所切出的厚度t的硅片时损坏的所述硅片的比例；将损坏率最低的、在使用由侧面的表面粗糙度Ry为0.8μm的硅块所切出的厚度t为330μm的硅片来制造太阳能电池时的损坏率A（0.8，330）取为0；将损坏率最高的、在使用由侧面的表面粗糙度Ry为3.5μm的硅块所切出的厚度t为240μm的硅片来制造太阳能电池时的损坏率A（3.5，240）取为1。