发明名称 |
电阻及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种电阻以及具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法,该制作方法首先提供基底,且该基底上定义有晶体管区与电阻区。接下来,在该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻,且该晶体管具有虚置栅极。随后,移除该虚置栅极与部分该电阻,以分别于该晶体管与该电阻内形成第一沟槽与二个第二沟槽,并于该第一沟槽与这些第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层。之后,在该第一沟槽与这些第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。 |
申请公布号 |
CN103000582A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201110271859.2 |
申请日期 |
2011.09.14 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
杨杰甯;徐世杰;林俊贤;王尧展;白启宏;曾纪升 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法,包括:提供基底,该基底上定义有晶体管区与电阻区;于该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻,且该晶体管具有虚置栅极;移除该虚置栅极与部分该电阻,以分别于该晶体管与该电阻内形成一个第一沟槽与二个第二沟槽;于该第一沟槽与该多个第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层;以及于该第一沟槽与该多个第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |