发明名称 鳍式场效应管的结构及形成方法
摘要 本发明的实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法,包括:依次在基底表面形成硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙;以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜,形成第二开口,所述第二开口暴露出所述基底表面;在所述第二开口内形成牺牲层,所述牺牲层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平;去除所述图案层,形成与所述侧墙相对应的两个第一子鳍部;去除所述硬掩膜层,形成与所述第一子鳍部齐平的绝缘层;形成位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部;去除所述绝缘层和牺牲层,形成位于所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间的空腔。本发明实施例的鳍式场效应管的器件性能好。
申请公布号 CN103000688A 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201110276568.2 申请日期 2011.09.16
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 三重野文健
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种鳍式场效应管的结构,其特征在于,包括:基底;位于所述基底表面鳍部,所述鳍部包括两个位于所述基底表面、且相互分立的第一子鳍部,及位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部,所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间存在空腔。
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