| 摘要 |
1. Фоторезистор на основе CdHgTe, содержащий сапфировое основание, на поверхность которого нанесен металлический слой с окном для формирования фоточувствительной площадки, и присоединенную к основанию диэлектрическим клеем прозрачную для ИК-излучения подложку с нанесенной на нее гетероэпитаксиальной структурой, состоящей из слоев фоточувствительного материала CdHgTe n-типа проводимости, включающих нижний варизонный слой, рабочий слой постоянного состава и верхний варизонный слой, которые содержат фоточувствительную площадку и расположенные за ее границами соединенные с металлическими контактами участки, выполненные в виде меандра, причем ширина колена меандра больше двух диффузионных длин дырок в рабочем слое гетероэпитаксиальной структуры.2. Фоторезистор на основе CdHgTe по п.1, отличающийся тем, что фоточувствительная площадка смещена в сторону анода. |
