| 发明名称 | 一种基板制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种基板制备方法，包括：形成防护层，对防护层进行处理，得到相应图形的防护层，并使防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。在形成防护层时，对防护层进行处理，可以使防护层的表面比较粗糙，在对防护层的粗糙表面上形成的金属层进行过刻时，刻蚀液可以通过防护层的粗糙表面上的坑洼处进行渗透，使刻蚀液可对金属层的底面进行刻蚀，发生侧面刻蚀，侧面刻蚀的发生能够提高刻蚀液对金属层的刻蚀速率，进而提高基板整体的产出效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103000495A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210533950.1 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 郭建 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种基板制备方法，其特征在于，包括：形成防护层，对所述防护层进行处理，使所述防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀来完成构图工艺。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||