| 发明名称 | 合成结构的高压器件及启动电路 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提出了一种合成结构的高压器件，包括高压功率管HVNMOS和JFET管，所述高压功率管HVNMOS管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell；所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell；所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极，所述漏极采用N型双扩散工艺。本发明实施例还提出了一种采用上述合成结构的高压器件的启动电路。本发明实施例提出的上述方案，通过合成的高压器件结构，有效的节省了芯片的面积，降低芯片的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103000626A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210492874.4 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 深圳市明微电子股份有限公司 | 发明人 | 李照华;林道明;赵春波;胡乔;戴文芳 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/098(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 郑瑜生 |
| 主权项 | 一种合成结构的高压器件，其特征在于，包括高压功率管HVNMOS和JFET管，所述高压功率管HVNMOS包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell；所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell；所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极，所述漏极采用N型双扩散工艺。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道015号国微研发大厦三层 | ||