| 发明名称 |
一种制备纯白色高纯氧化铝陶瓷的方法 |
| 摘要 |
一种制备纯白色高纯氧化铝陶瓷的方法，包括：将高纯氧化铝粉末压制的坯料，放入烧结炉中，在高于1500℃的温度下进行烧结。烧结完成后，将烧结炉温度降至600℃-1000℃之间，向烧结炉中通入氩气、氮气或其它惰性气体，置换烧结炉中的空气，对陶瓷坯料进行热处理，处理时间根据坯料大小决定。处理结束，降温至室温即可得到纯白色的氧化铝陶瓷。 |
| 申请公布号 |
CN102992738A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
| 申请号 |
CN201210473264.X |
申请日期 |
2012.11.21 |
| 申请人 |
天津蓝晶光电技术有限公司 |
发明人 |
李林波;孙军;孙存厚;李林山;冯会其;焦向东;杨过;黄存强;闫焓 |
| 分类号 |
C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/10(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种制备纯白色高纯氧化铝陶瓷的方法，其特征在于，包括：将高纯氧化铝粉末压制的坯料，放入烧结炉中，在高于1500℃的温度下进行烧结。烧结完成后，将烧结炉温度降至600℃‑1000℃之间，向烧结炉中通入氩气、氮气或其它惰性气体，置换烧结炉中的空气，对陶瓷坯料进行热处理，处理时间根据坯料大小决定。处理结束，降温至室温即可得到纯白色的氧化铝陶瓷。 |
| 地址 |
300457 天津市滨海新区塘沽开发区南海路156号津滨发展通厂32#厂房东侧及办公用房 |
