用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制

摘要

本发明涉及用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制的方法。这些方法减少或防止等离子体感应电荷由于无定形碳薄膜的沉积而损坏衬底。在一方面，在低RF功率等级和/或低无定形碳的烃化合物/惰性气体流速比率的条件下，在无定形碳的块层沉积之前沉积无定形碳起始层。在起始层沉积之后，RF功率、烃流速和惰性气体流速可以变化到用于块层沉积的最终值，其中该RF功率爬坡速率通常大于烃化合物和惰性气体的爬坡速率。另一方面，最小化等离子体感应电荷损坏的方法包括在一个或多个腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜之前，在一个或多个腔室的内表面上沉积适应层，或在制造过程中使用氧化层或电介质层涂覆内表面。

主权项

一种沉积无定形碳薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：将烃化合物引入到腔室中；在处于0.01W/cm2和2W/cm2之间的第一RF功率等级的RF功率下，在驱升所述RF功率的同时，使所述烃化合物反应一段时间，以在所述腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜的起始层；在第二RF功率等级下，在所述起始层上沉积块无定形碳薄膜，其中，所述第二RF功率等级大于所述第一RF功率等级。