半导体存储器中的可编程芯片使能和芯片地址

摘要

存储器晶片提供有用于在封装之后允许禁止特定存储器晶片的可编程芯片使能电路，和/或用于在封装之后允许重新编址特定存储器晶片的可编程芯片地址电路。在多芯片存储器封装中，可以通过覆盖从控制器和主机设备接收的主芯片使能信号的可编程电路来把在封装级测试中不合格的存储器晶片从存储器封装中隔离和禁止。为了提供连续的地址范围，可以使用另一可编程电路来重新编址一个或多个无缺陷的存储器晶片，以取代由焊盘连接提供的唯一的芯片地址。在封装之后，还可以独立于检测不合格的存储器晶片来重新编址存储器晶片。

主权项

一种制造非易失性存储器的方法，包括：将多个非易失性存储器芯片和控制器封装在存储器封装中，所述存储器封装包括耦接到所述控制器和所述非易失性存储器芯片的每个的公共芯片使能线，响应于在所述公共芯片使能线上提供的芯片使能信号来使能所述多个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括芯片使能管脚、选择电路以及耦接在所述芯片使能管脚和所述选择电路之间的一个或多个可编程电路，在所述芯片使能管脚上接收所述芯片使能信号；在所述封装之后，确定所述多个非易失性存储器芯片中的所述非易失性存储器芯片是否是有缺陷的；以及如果在所述确定期间确定所述多个非易失性存储器芯片的特定存储器芯片是有缺陷的，则将所述特定存储器芯片隔离于响应于所述芯片使能信号被使能，所述将所述特定存储器芯片隔离包括编程所述一个或多个可编程电路以覆盖所述芯片使能信号。