一种硅基发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在p型掺杂的硅基体上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管。本发明通过制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为硅基发光二极管的本征层，将铒硅酸盐无机化合物中铒离子浓度提高1-2个数量级，富硅氧化硅中纳米硅和铒离子之间的高效能量传递效率可以实现电致发光，从而实现发光二极管获得强的通信波段1.53μm的电致发光。

主权项

一种硅基发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在所述本征层上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管；所述步骤S2具体包括：采用旋转涂敷法在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，在100‑140℃的空气中干燥处理之后，在500‑600℃的Ar气中预退火获得铒硅氧非晶薄膜；然后快速升温到1200℃进行高温退火获得结晶的铒硅酸盐化合物；随后在1200℃不保温快速降温到800℃，或900℃，或1000℃，或1100℃，并进行保温处理形成富硅氧化硅；最后自然冷却到室温形成铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜，作为本征层。