发明名称 |
氮化硅膜沉积设备 |
摘要 |
本实用新型提供了一种氮化硅膜沉积设备,该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔,以及连接在反应腔之间的缓冲腔,反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。通过在多个反应腔内分步生成多层厚度和折射率不同的氮化硅膜,能够在保证钝化效果的前提下进一步降低硅片表面光反射率;多个反应腔互不干扰,能够保证沉积过程稳定运行;多个反应腔之间采用缓冲腔连接,能够保证整个沉积过程在真空条件下进行,从而避免了与外部空气接触引入杂质。 |
申请公布号 |
CN202830165U |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201220455178.1 |
申请日期 |
2012.09.06 |
申请人 |
英利能源(中国)有限公司 |
发明人 |
解占壹;刘海金;刘伟 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;余刚 |
主权项 |
一种氮化硅膜沉积设备,其特征在于,包括两个或两个以上的反应腔,以及连接在所述反应腔之间的缓冲腔,所述反应腔与所述缓冲腔之间形成真空连接。 |
地址 |
071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 |