发明名称 | 一种金属衬垫制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种金属衬垫制作方法,应用于顶层金属互连层,该方法在靠近金属衬垫边沿位置的金属衬垫区域保留若干圆柱形第二层间介质,用于抵消和释放金属衬垫与第二层间介质界面之间的压力。该方法一方面在不影响器件电性测试准确性的情况下大大降低应力,提高金属衬垫的可靠性;另一方面由于圆柱形第二层间介质部分位于金属衬垫的边角区域,不会阻挡金属衬垫与下方金属线的电性连接。 | ||
申请公布号 | CN103000569A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
申请号 | CN201110274055.8 | 申请日期 | 2011.09.15 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郑大燮;魏琰 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种金属衬垫制作方法,应用于顶层金属互连层,提供具有金属互连层的晶片,所述金属互连层上依次沉积第一层间介质和第二层间介质,在所述第一层间介质中形成通孔之前或之后,该方法还包括:所述第二层间介质涂覆第一光刻胶后曝光和显影形成用于定义金属衬垫的第一光刻图案,所述第一光刻图案在金属衬垫的边沿处保留至少一个圆柱形第一光刻胶部分;以所述第一光刻图案为掩膜刻蚀所述第二层间介质形成沟槽,所述沟槽在临近边沿处具有圆柱形第二层间介质部分;在所述沟槽中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层后,填充生长金属铜;化学机械研磨所述金属铜、扩散阻挡层和铜籽晶直到露出所述第二介质层表面。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |