| 发明名称 | 磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其先在新的测试片上生长一层氧化层；再使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅；继而将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的半边测试片的电阻值；接着再进行另一次预扩散工艺；工艺完成后再次使用氢氟酸溶液剥除测试片的所有氧化层，测量后一次参与反应的半边测试片的电阻值，完成整个测试片复用。实施本发明的技术方案并将其投入生产工艺后，其突出效果体现在：一者操作简便且成本低廉；再者使用本发明多次复用方法可以提高测试片的重复利用率，降低成本两倍以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103000545A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201110269372.0 | 申请日期 | 2011.09.13 |
| 申请人 | 康可电子（无锡）有限公司 | 发明人 | 赵峰;刘明 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陈忠辉 |
| 主权项 | 磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征为包括步骤：Ⅰ、1200℃的湿氧气氛下；在新的测试片上生长一层氧化层；Ⅱ、使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅，被去除的所述测试片表面一半包括上表面和下表面；Ⅲ、将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的半边测试片的电阻值；Ⅳ、继续使用步骤Ⅲ测试电阻值后的测试片，进行另一次预扩散工艺；工艺完成后再次使用氢氟酸溶液剥除测试片的所有氧化层，测量后一次参与反应的半边测试片的电阻值，完成整个测试片复用。 | ||
| 地址 | 214142 江苏省无锡市硕放工业园振发六路东1号 | ||