发明名称 |
高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置 |
摘要 |
本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备,并且在基材透光率约92%的情况下,所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%,面阻可低至100Ω/□。 |
申请公布号 |
CN102994980A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210539154.9 |
申请日期 |
2012.12.13 |
申请人 |
苏州汉纳材料科技有限公司 |
发明人 |
陈新江 |
分类号 |
C23C16/448(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C23C16/448(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 |
代理人 |
孙东风;王锋 |
主权项 |
一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于,包括:利用浮动催化裂解法在温度为1250‑1600℃的条件下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。 |
地址 |
215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-508 |