| 发明名称 | 半导体封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构包括一基材、一第一金属层、一第一介电层、一第一上电极及一第一保护层。该第一金属层位于该基材的一第一表面，且包括一第一电感及一第一下电极。该第一介电层位于该第一下电极上。该第一上电极位于该第一介电层上，该第一上电极、该第一介电层及该第一下电极形成一第一电容。该第一保护层包覆该第一电感及该第一电容。藉此，该第一电感及该第一电容的第一下电极位于同一层上，而可缩减产品厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102136430B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201010118978.X | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建桦;李德章 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种半导体封装结构的制造方法，包括：(a)提供一基材，该基材包括至少一沟槽及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该沟槽内，且该导电孔结构包括一外绝缘层、一导体及一内绝缘层，该外绝缘层位于该沟槽的侧壁，定义出一第二中心槽，该导体位于该第二中心槽的侧壁，定义出一第一中心槽，该内绝缘层填满该第一中心槽；(b)形成一第一金属层于该基材上，该第一金属层包括一第一电感及一第一下电极；(c)形成一第一介电层及一第一上电极于该第一下电极上，其中该第一介电层位于该第一上电极及该第一下电极之间，且该第一上电极、该第一介电层及该第一下电极形成一第一电容；及(d)形成一第一保护层，以包覆该第一电感及该第一电容。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||