发明名称 |
一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在NMOS区域使用氧化物材料代替现有的多晶硅材料制备NMOS半导体层,能够省去采用TLPS工艺时对NMOS区域的三次掺杂工艺,可以简化CMOS电路结构的制作流程,降低生产成本。并且,由于采用氧化物材料制作NMOS区域的NMOS半导体层,仅需要对PMOS区域的PMOS半导体层进行结晶化,也能延长激光管的使用寿命,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN103000632A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210537549.5 |
申请日期 |
2012.12.12 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
任章淳 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/8258(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种CMOS电路结构,具有PMOS区域和NMOS区域,其特征在于,包括:依次位于衬底基板之上的PMOS半导体层、栅绝缘层、PMOS栅极和NMOS栅极、第一层间介质层、NMOS半导体层、第二层间介质层以及PMOS源漏极和NMOS源漏极,其中,所述PMOS半导体层、PMOS栅极和PMOS源漏极位于PMOS区域内;所述PMOS半导体层由P型掺杂多晶硅材料制成;所述NMOS半导体层、NMOS栅极和NMOS源漏极位于NMOS区域内;所述NMOS半导体层由氧化物材料制成。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |