发明名称 |
侧向双极晶体管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法,为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方,且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积,降低了器件的收集区寄生电容,有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明,对设备等技术条件要求低,适于大规模的产线生产。 |
申请公布号 |
CN103000676A |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201210535471.3 |
申请日期 |
2012.12.12 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
王玉东;付军;崔杰;赵悦;张伟;刘志弘;吴正立;李高庆 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01)I |
代理机构 |
北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 |
代理人 |
张岱 |
主权项 |
一种侧向双极晶体管,其特征在于,所述晶体管包括第一导电类型的发射区,位于所述发射区侧面的本征基区,位于所述本征基区侧面的收集区,位于所述发射区上方的发射极介质层,位于所述发射极介质层上方的外基区,位于外基区上方的基区介质层,位于衬底上方的衬底介质层;所述衬底介质层环绕所述发射区并延伸进入发射区;所述本征基区位于基区介质层的下方,且位于衬底介质层的上方;所述收集区位于衬底介质层的上方。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号 |