发明名称 |
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮 |
摘要 |
本实用新型涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。普通的化学腐蚀花篮中,硅片与硅片盒接触,形成单面硅片盒印,由于硅片盒印是无序的,筛选硅片的无盒印面作为电池的受光面时增加了工作量,降低了效率,并且由于人为的疏忽,部分硅片的片盒印面被用作受光面,降低了产品的品质,本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5°-10°的角度的斜板,使得硅片向同一方向倾斜,产生的片盒印均在同一面,解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼,使得花篮在使用中更加方便。 |
申请公布号 |
CN202839708U |
申请公布日期 |
2013.03.27 |
申请号 |
CN201220254868.0 |
申请日期 |
2012.06.01 |
申请人 |
上饶光电高科技有限公司 |
发明人 |
柳杉;黄治国;王鹏;包兵兵;梅超 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
杨志宇 |
主权项 |
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮,其特征在于:花篮(1)中装有硅片盒(2),花篮(1)底部设有斜板(3)。 |
地址 |
334100 江西省上饶市经济开发区旭日片区 |