| 发明名称 | 生长在模板上以减小应变的Ⅲ-氮化物发光器件 | ||
| 摘要 | 在III-氮化物发光器件中，包括发光层的器件层(10)生长在模板(22，26)上，该模板被设计用于减小器件中的应变，特别是发光层中的应变。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。该模板可以将发光层中的晶格常数扩展超过可从常规生长模板得到的晶格常数的范围。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与该层生长在结构中时的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|(ain-plane-abulk)|/abulk。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。 | ||
| 申请公布号 | CN101663766B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN200780047802.6 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | P·N·格里洛特;N·E·加德纳;W·K·戈茨;L·T·罗马诺 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 龚海军;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上生长III‑氮化物结构，该III‑氮化物结构包括：模板，该模板包括：直接生长在衬底上的第一层，该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层，其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在所述第二层之上生长并且与所述第二层直接接触的第三层，其中第三层是包括铟的非单晶层；以及在模板上生长的器件层，所述器件层包括在n型区和p型区之间设置的III‑氮化物发光层，其中所述第二层具有比所述第三层更低的InN组分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||