| 发明名称 |
Split-gate ESD diodes with elevated voltage tolerance |
| 摘要 |
In a gated diode ESD protection structure, the gate is split into two parts to divide the total reverse voltage between two gate regions. |
| 申请公布号 |
US8405123(B2) |
申请公布日期 |
2013.03.26 |
| 申请号 |
US20080290083 |
申请日期 |
2008.10.27 |
| 申请人 |
VASHCHENKO VLADISLAV;KORABLEV KONSTANTIN G.;NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
VASHCHENKO VLADISLAV;KORABLEV KONSTANTIN G. |
| 分类号 |
H01L29/70;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/70 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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