半导体装置

摘要

围绕施加高电位的感应电阻(9)与形成第1逻辑电路(26)的高电位逻辑区域(25)的周围，分离区域(30)介于其间，形成RESURF(降低表面电场)区域(24)。RESURF区域(24)的外侧，为了对接地电位驱动第2逻辑电路(22)，形成施加必须的驱动电压准位的第2逻辑电路区域。RESURF区域(24)中，场效电晶体(T)的汲极电极(12)沿着内圈形成，源极电极(10)沿着外圈形成。又，连接至感应电阻(9)的多晶矽电阻(4)，从内圈侧往外圈侧形成螺旋状。