| 摘要 |
本发明之目的系提供用于生产第三族氮化物半导体层之设备，其藉由溅镀法在基材上形成第三族氮化物半导体层，该设备包含：第一电浆产生区域，其中布置包含第三族元素之溅靶并溅镀该溅靶以产生由包含在该溅靶中的材料形成之材料粒子；以及第二电浆产生区域，其中布置该基材并产生含氮电浆，其中该第一电浆产生区域及该第二电浆产生区域系提供于一室内，且该第一电浆产生区域及该第二电浆产生区域系由一遮蔽壁分隔，该遮蔽壁具有一开口部，该材料粒子自该开口部供应至该基材。此外，本发明之目的系提供生产第三族氮化物半导体层的方法、生产第三族氮化物半导体发光装置的方法、该第三族氮化物半导体发光装置、及该灯。 |
