发明名称 薄膜积体电路,积体电路标签,包含薄膜积体电路之容器,薄膜积体电路装置之制造方法,该容器之制造方法,以及制造具有该容器之产品的方法
摘要 用矽片制成的积体电路由于其厚度厚,如果搭载到容纳产品的容器自身上,势必使容器的表面出现凸凹不平,这样就会给产品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜积体电路,以及具备该薄膜积体电路的薄膜积体电路装置。本发明的薄膜积体电路有一个特征是它和知的用矽片形成的积体电路不同,具有作为启动区(比如如果是薄膜电晶体,则指通道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜积体电路厚度极其薄,所以即使搭载到卡或容器等产品,也不会损伤产品的设计性。
申请公布号 TWI390716 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW093104458 申请日期 2004.02.23
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 荒井康行;石川明;高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;大野由美子;馆村佑子
分类号 H01L27/12;H01L29/786;G06K19/07 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本