发明名称 |
包括应力感测元件之半导体结构以及于半导体结构中测量应力之方法 |
摘要 |
一种半导体结构包括应力感测元件。该应力感测元件之性质为表示在该半导体结构内之应力。此外,该半导体结构可以包括电性元件。该应力感测元件及该电性元件包括部分共同的结构层。分析仪可以经由配接以决定表示在该半导体结构内的应力之该应力感测元件之性质及该电性元件之性质。该应力感测元件之性质可以决定并且该制造程序可以依据该应力感测元件之决定的性质而作修正。该电性元件之性质可以与该应力感测元件之性质产生关联以研究应力在该电性元件上之影响。 |
申请公布号 |
TWI390697 |
申请公布日期 |
2013.03.21 |
申请号 |
TW094115161 |
申请日期 |
2005.05.11 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
蓝基尔 依哈德;札薛曲 依蓝菲 |
分类号 |
H01L23/58 |
主分类号 |
H01L23/58 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |