| 摘要 |
一种在具有底部电极之电浆处理室中蚀刻其上具有矽层之基板的方法，在蚀刻期间，该基板系配置在该底部电极上。该方法包括实施一主蚀刻步骤。该方法也包括当在该矽层中达到矽层厚度之至少70%的预定蚀刻深度时终止该主蚀刻步骤。该方法另包括实施一过蚀刻步骤。该过蚀刻步骤包括第一处理步骤及第二处理步骤。该第一处理步骤系使用施加于该底部电极的第一底部功率位准来予以实施。该第二处理步骤系使用施加于该底部电极之比该第一底部功率位准更低的第二底部功率位准来予以实施。该第一处理步骤及该第二处理步骤系交替地实施复数次。该方法还包括在蚀穿矽层后终止该过蚀刻步骤。 |
