雷射加工方法及半导体晶片

摘要

在具备基板与形成于基板表面之多数功能性元件的加工对象物1之基板4内部对准聚光点P照射雷射光L，而对1条切断预定线5，形成至少1列之分断改质区域72，及位于分断改质区域72与基板4之表面3之间的至少1列之品质改质区域71，及位于分断改质区域72与基板4之背面21之间的至少1列之HC改质区域73。此时，在沿着切断预定线之方向中，分断改质区域72之形成密度，系较品质改质区域71之形成密度及HC改质区域73之形成密度为低。