发明名称 反射电极,显示装置,及显示装置之制造方法
摘要 本发明,提供构成反射电极的金属层,系不中介着障壁金属层,而构成透明电极之与氧化物导电膜直接连接的反射电极,例如即使施以约100℃以上300℃以下的低的热处理,也具有高反射率及低的接触电阻,而且也不会产生小丘(hillock)等缺陷且耐热性也优异之反射电极。本发明,关于被形成于基板上的显示装置用之反射电极,前述反射电极具有0.1~2原子百分比之Ni及/或Co,及含有0.1~2原子百分比之La等之X之第1 Al-(Ni/Co)-X合金层,及含Al与O(氧)之第2之铝的氧化物层。前述铝的氧化物层,与透明画素电极直接连接,前述铝的氧化物层中的氧原子数与铝原子数之比[O]/[Al]为0.30以下,前述铝的氧化物层之最薄的部分的厚度,在10nm以下。前述反射电极,在前述铝的氧化物层与前述透明画素电极直接连接的区域,被形成于前述透明画素电极与前述基板之间。
申请公布号 TWI390045 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW097151058 申请日期 2008.12.26
申请人 神户制钢所股份有限公司 日本 发明人 越智元隆;后藤裕史
分类号 C22C21/00;G02F1/1343 主分类号 C22C21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本