磁性随机存取记忆体积体之对准方法及结构

摘要

一种用于进行半导体装置结构对准的方法，包含形成第一组与第二组对准标记于结构下层，其中第二组对准标记邻接第一组对准标记。不透光层系形成在下层上方，其包含第一组与第二组对准标记。对应第一组对准标记位置之不透光层的一部分系开启，以呈现第一组对准标记为光学可视，同时第二组对准标记初期系由不透光层所覆盖。系使用光学可视之第一组对准标记以图案化不透光层，其中在图案化不透光层过程中第一组标记受损害时，第二组对准标记可供后续对准操作所用。