制膜方法、电浆制膜装置及记忆媒体

摘要

本发明系揭示一种仅藉由电浆溅镀蚀刻，特别将金属铜埋入至形成于被处理体例如半导体晶圆W的表面之凹部，特别系直径或宽度为100nm以下之微细的孔或沟渠之技术。交互复数次实行：于凹部内沉积少量的金属膜的制膜步骤；及使该已沉积的金属膜朝向凹部之底部移动的扩散步骤。在制膜步骤中，于晶圆W的表面上，以藉由前述金属粒子的引入而产生之金属的沉积之沉积速率，与藉由前述电浆所产生的溅镀蚀刻之蚀刻速率大致均衡的方式，来设定施加于支持晶圆W的载置台的偏压电力。在扩散步骤中，将晶圆W维持在沉积于凹部内的金属膜之表面扩散所产生的温度。