发明名称 用以避免寄生二极体漏电流之半导体记忆元件之电压产生电路
摘要 一种半导体记忆体元件之电压产生电路,可避免寄生二极体漏电流的发生。该电路控制和稳定回馈负电压产生,以防止字元线驱动器寄生二极体的故障。电压产生电路包括一个控制器,可回馈负电压并检测基板和负电压提供底偏电压之间的底偏电压差,以产生控制信号。电压产生电路还包括一电压发生器,可回馈负电压来检测位准,及随后产生并提供该负电压来反应负电压和控制信号的检测结果。
申请公布号 TWI390531 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW097134000 申请日期 2008.09.05
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 许英道;金渊郁
分类号 G11C11/407;G11C11/00 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人 郑再钦 台北市中山区民生东路3段21号10楼
主权项
地址 南韩