发明名称 Verfahren zum Herstellen eines siliziumbasierten Metalloxidhalbleiterbauelements
摘要 Verfahren zum Herstellen eines siliziumbasierten Metalloxidhalbleiterbauelements, umfassend: Implantieren eines ersten Dotierstoffs in ein teilweise fertiggestelltes Bauelement während einer ersten Zeitspanne des Herstellungsverfahrens, wobei der erste Dotierstoff eine erste rauschen-reduzierende Spezies umfasst, wobei der erste Dotierstoff kein BF2 + enthält; und Implantieren eines zweiten Dotierstoffs in das teilweise fertiggestellte Bauelement während einer zweiten Zeitspanne des Herstellungsverfahrens, wobei der zweite Dotierstoff und der erste Dotierstoff von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen sind, wobei der zweite Dotierstoff kein BF2 + enthält.
申请公布号 DE102008064728(B4) 申请公布日期 2013.03.21
申请号 DE20081064728 申请日期 2008.06.25
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SIPRAK, DOMAGOJ
分类号 H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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