摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines siliziumbasierten Metalloxidhalbleiterbauelements, umfassend: Implantieren eines ersten Dotierstoffs in ein teilweise fertiggestelltes Bauelement während einer ersten Zeitspanne des Herstellungsverfahrens, wobei der erste Dotierstoff eine erste rauschen-reduzierende Spezies umfasst, wobei der erste Dotierstoff kein BF2 + enthält; und Implantieren eines zweiten Dotierstoffs in das teilweise fertiggestellte Bauelement während einer zweiten Zeitspanne des Herstellungsverfahrens, wobei der zweite Dotierstoff und der erste Dotierstoff von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen sind, wobei der zweite Dotierstoff kein BF2 + enthält.
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