SiC-MOSFET mit hoher Kanalbeweglichkeit

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (101) aus SiC sowie einen Feldeffektransistor auf. Der Feldeffektransistor weist eine im Halbleiterkörper (101) aus SiC ausgebildete Driftzone (102) sowie eine polykristalline Siliziumschicht (103) auf dem Halbleiterkörper (101) auf, wobei die polykristalline Siliziumschicht (103) eine mittlere Korngröße im Bereich von 10 nm bis 50 µm aufweist und ein Sourcegebiet (103s) sowie ein Bodygebiet (103b) umfasst. Darüber hinaus weist der Feldeffekttransistor eine an das Bodygebiet (103b) angrenzende Gatestruktur (104)auf.