| 摘要 |
<p>Módulo de semiconductores de potencia (1) con al menos dos unidades de semiconductores de potencia (19, 20) conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo (2, 3, 13) en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia (19, 20) y que presenta una pared lateral (13) eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión (9, 10, 11, 12, 21) que se extiende a través de la pared lateral (13) y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia (19, 20), caracterizado porque la pared lateral aislante (13) está configurada como apilamiento de elementos parciales (14, 15, 16) aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales (14) hacen contacto en yuxtaposición con regiones de contacto.</p> |
