Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem Kondensator im Metallisierungssystem

摘要

Verfahren mit: Bilden eines Ätzstoppschichtstapels (120) über einem ersten Metallgebiet (112) und einem zweiten Metallgebiet (113) einer ersten Metallisierungsschicht (110) eines Halbleiterbauelements (100), wobei der Ätzstoppschichtstapel (120) eine erste Ätzstoppschicht (121) und eine zweite Ätzstoppschicht (122), die auf und in Kontakt mit der ersten Ätzstoppschicht (121) gebildet ist, aufweist; Bilden eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials (131) über dem Ätzstoppschichtstapel (120); Bilden einer ersten Öffnung (132) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (131) und in der ersten und zweiten Ätzstoppschicht (121, 122) über dem ersten Metallgebiet (112); Bilden einer zweiten Öffnung (133) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (131) über dem zweiten Metallgebiet (113), wobei sich die zweite Öffnung (133) durch die zweite Ätzstoppschicht (122) zu der ersten Ätzstoppschicht (121) erstreckt; und Füllen der ersten Öffnung (132) und der zweiten Öffnung (133) mit einem metallenthaltendem Material in einem gemeinsamen Füllprozess.