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Wärmeunterstützte Magnetspeichervorrichtung mit gesteuerter Temperatur (200), die folgende Merkmale aufweist: ein Array (202) von SVM-Zellen (302, 302', 302''), wobei die SVM-Zellen (302, 302', 302'') durch eine veränderbare Magnetisierungsausrichtung gekennzeichnet sind und ein Material aufweisen, bei dem die Koerzitivität auf eine Temperaturerhöhung hin verringert ist; zumindest eine Referenz-SVM-Zelle (204) gekoppelt mit einem Temperatursensor (212) und im wesentlichen identisch mit den SVM-Zellen und eine rückkopplungsgesteuerte Temperatursteuerung (206), die eine Referenzspannung empfängt die eine Temperatur für eine reduzierte Koerzitivität der Referenz-SVM-Zelle (204) darstellt und ferner eine Rückkopplungsspannung von dem Temperatursensor (212) empfängt, wenn eine Leistung an die Referenz-SVM-Zelle (204) und eine ausgewählte SVM-Zelle (302) des Arrays (202) angelegt ist, um die Referenz-SVM-Zelle (204) und die ausgewählte SVM-Zelle (302) des Arrays (202) zu erwärmen, wobei die rückkopplungsgesteuerte Temperatursteuerung (206) die angelegte Leistung einstellt, um die Differenz zwischen der Rückkopplungsspannung und der Referenzspannung zu minimieren wobei sich die Referenz-SVM-Zelle (204) und... |
