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Verfahren zur Herstellung eines III-Nitrid-basierten Halbleiter-Bauteils wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) auf einer Oberfläche eines Substrates (14), wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre eine III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt; und Bilden eines Grabens (26) durch die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18), um eine Mesa mit der III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) an einer Oberseite derselben festzulegen; Füllen des Grabens (26) mit einem Material (28), das ein III-Nitrid-Wachstum hemmt; Aufwachsen eines III-Nitrid-Halbleiter-Körpers (20) über der Mesa, Durchschneiden der III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16), welche die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt, um das III-Nitrid-basierte Halbleiter-Bauteil (36) zu gewinnen, wobei das III-Nitrid-basierte Halbleiterbauteil (36) die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) an einem Außenumfang dieses Halbleiter-Bauteils aufweist.
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