Behälter aus pyrolytischem Bornitrid zum Wachsen eines Kristalls, und ein Verfahren zum Wachsen eines Halbleiterkristalls unter Verwendung des Behälters

摘要

Bereitstellen eines Behälters aus pyrolytischem Bornitrid, dessen Querschnittsform die Form eines perfekten Kreises beibehält, selbst wenn sein Durchmesser vergrößert wird, und der sich durch wiederholten Gebrauch nicht verformt. Der Behälter aus pyrolytischem Bornitrid der vorliegenden Erfindung ist ein Behälter aus pyrolytischem Bornitrid, der für ein Verfahren zum Wachsen eines Halbleiterkristalls verwendet wird, bei dem sich eine Schmelze aus Rohmaterial, die sich in einem länglichen Behälter befindet, von einem Behälterboden in Richtung einer Behälteröffnung verfestigt. Der Behälter aus pyrolytischem Bornitrid umfasst ein Teilstück mit konstantem Durchmesser, dessen Querschnittsfläche im Wesentlichen konstant ist, und einen Stufenabschnitt, der an einer vorbestimmten Position entfernt von der Öffnung vorgesehen ist, und an dem sich ein Innendurchmesser oder ein Außendurchmesser des Behälters ändert. Wenn ein Durchmesser eines perfekten Kreises, der die gleiche Fläche wie eine Innenquerschnittsfläche des Teilstücks mit konstantem Durchmesser aufweist, D ist, und ein Abstand von der Öffnung zu einem oberen Ende des Stufenabschnitts x ist, sind die Relationen D ≥ 54 mm und x ≥ 5 mm erfüllt. Wenn eine Länge von einem unteren Ende des Teilstücks mit konstantem Durchmesser zu der Öffnung 1 ist, ist vorzugsweise die Relation 5 mm ≤ x ≤ L/3 oder 5 mm ≤ x ≤ D erfüllt.