发明名称 | 一种带反馈电路的高压稳压电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路领域,带反馈电路的高压稳压电路,包括:一外部电源VDD通过电阻R1连接PMOS管M1源极和高压NMOS管M4漏极;PMOS管M1栅极连接其漏极,其漏极连接NMOS管M2漏极,其衬底连接其源极;NMOS管M2栅极连接其漏极,其源极连接NMOS管M3漏极,其衬底连接地;NMOS管M3栅极连接其漏极,其源极连接晶体管D1发射极,其衬底连接地;高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极,通过电阻R2连接NMOS管M5栅极,通过电阻R3连接地,其源极连接内部电源,其衬底连接地;NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1源极,其源极连接晶体管D2发射极,其衬底连接地;晶体管D1和D2其各自基极连接其各自集电极后连接地。本发明的高压稳压电路能降低稳压电路功耗,提高稳压电路驱动能力。 | ||
申请公布号 | CN102981537A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
申请号 | CN201110261734.1 | 申请日期 | 2011.09.06 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张宁;周平 |
分类号 | G05F1/10(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/10(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种带反馈电路的高压稳压电路,其特征是,包括:一外部电源VDD连接电阻R1的一端和高压NMOS管M4的漏极,电阻R1的另一端连接PMOS管M1的源极;PMOS管M1的栅极连接其漏极,其漏极连接NMOS管M2的漏极,其衬底连接其源极;NMOS管M2的栅极连接其漏极,其源极连接NMOS管M3的漏极,其衬底连接地;NMOS管M3的栅极连接其漏极,其源极连接双极结型晶体管D1的发射极,其衬底连接地;高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1的源极和电阻R2的一端,其源极连接内部电源,其衬底连接地;电阻R2的另一端连接NMOS管M5的栅极和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接地;NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1的源极,其源极连接双极结型晶体管D2的发射极,其衬底连接地;双极结型晶体管D1和双极结型晶体管D2其各自的基极连接其各自的集电极后连接地。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |