保护电路和控制电路

摘要

本发明公开了一种保护电路，适用于减少漏电流，包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管，以及第二NMOS晶体管。第一PMOS晶体管耦接在第一电位节点和节点之间，且具有耦接到输入节点的第一栅极。第二PMOS晶体管耦接在节点和输出节点之间。第一NMOS晶体管耦接在输出节点和接地节点之间，且具有耦接到输入节点的第三栅极。第二NMOS晶体管耦接在输入节点和第二PMOS晶体管的第二栅极之间，且具有耦接到第二电位节点的第四栅极。本发明提供的保护电路，以及包括保护电路的控制电路，皆可减少栅极致漏极漏电流，降低了互补式金属氧化物半导体装置的电力消耗量，具有节省电能的好处。

主权项

一种保护电路，其特征在于，适用于减少漏电流，包括：一第一PMOS晶体管，耦接在一第一电位节点和一节点之间，且具有耦接到一输入节点的一第一栅极；一第二PMOS晶体管，耦接在所述节点和一输出节点之间，具有一第二栅极；一第一NMOS晶体管，耦接在所述输出节点和一接地节点之间，且具有耦接到所述输入节点的一第三栅极；以及一第二NMOS晶体管，耦接在所述输入节点和所述第二栅极之间，且具有耦接到一第二电位节点的一第四栅极，其中，所述接地节点提供一接地电位，所述第一电位节点提供一第一电位，所述第二电位节点提供一第二电位，且所述第一电位、所述第二电位皆高于所述接地电位。