噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备

摘要

本发明涉及具有下述通式的化合物和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述化合物的有机场效应晶体管(OFET)式I。

主权项

1.具有下述通式I的化合物：式I其中，W，相同或不同，独立地表示吸电子基团，前提是至少一个W代表氰基；A，相同或不同，独立地选自氢和一价吸电子基团；X，相同或不同，独立地选自氢和一价吸电子基团；D，相同或不同，代表VIA族元素的杂原子；G代表VA族元素的杂原子，或代表G’-Y’，其中G’代表IVA族元素的杂原子；Y和Y’，相同或不同，独立地选自氢和一价可溶性基团；Z，相同或不同，独立地选自氢、一价吸电子基团和一价可溶性基团；m，相同或不同，独立地代表0至8的整数；n，相同或不同，独立地代表1至4的整数。