| 发明名称 | 制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置，方法包括：在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过一次构图形成包括源电极、漏电极、TFT沟道、数据线以及第二透明电极的图形。利用灰色调或者半灰调掩模板技术，在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，通过三次构图工艺制作完成有机薄膜晶体管阵列基板，用到的掩模板数量少，生产效率高且生产成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102983103A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210530381.5 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 张学辉;薛建设;刘翔 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;安利霞 |
| 主权项 | 一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过一次构图形成包括源电极、漏电极、TFT沟道、数据线以及第二透明电极的图形。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||