借助对参考单元的数据读取的非易失性多级存储器单元

摘要

本发明的实施例提供用于借助对参考单元的数据读取进行非易失性多级存储器单元数据检索的方法、装置、模块及系统。一种方法包含将一数目的数据单元中耦合到选定字线的至少一个数据单元编程到对应于目标状态的目标数据阈值电压(Vt)电平；将一数目的参考单元中耦合到所述选定字线的至少一个参考单元编程到目标参考Vt电平，所述数目的参考单元与所述数目的数据单元交错；基于对所述至少一个参考单元的数据读取确定参考状态；及基于所述至少一个参考单元的改变而改变从所述至少一个数据单元读取的状态。

主权项

一种用于操作非易失性多级存储器单元(211‑1、...、211‑N)阵列(108；200；830)的方法，其包括：将耦合到选定字线(205‑1、...、205‑N)的一数目的数据单元(312‑1、312‑2、...、312‑D；314‑1、314‑2、...、314‑D)编程到对应于目标状态(430、432、434、436)的目标阈值电压Vt电平(439‑0、439‑1、439‑2、439‑3；639‑0到639‑7)，同时将耦合到所述选定字线(205‑1、...、205‑N)的一批参考单元(322‑1、322‑2、...、322‑R；324‑1、324‑2、...、324‑R)编程到所述目标Vt电平(439‑0、439‑1、439‑2、439‑3；639‑0到639‑7)；随后确定与所述经编程批的参考单元(322‑1、322‑2、...、322‑R；324‑1、324‑2、...、324‑R)相关联的远离所述目标Vt电平(439‑0、439‑1、439‑2、439‑3；639‑0到639‑7)的Vt移位量(655‑2)；执行读取操作以确定由所述数目的数据单元(312‑1、312‑2、...、312‑D；314‑1、314‑2、...、314‑D)表示的状态(667)；及基于所述所确定的Vt移位量(655‑2)改变(665)由所述数目的数据单元(312‑1、312‑2、...、312‑D；314‑1、314‑2、...、314‑D)表示的所述状态。