利用等离子体增强化学气相沉积来制造高机械性能的极低K膜的硅前驱物

摘要

提供一种在基板上沉积低介电常数膜的方法。此低介电常数膜是利用包含使一种或多种有机硅化合物与成孔剂反应后，再对所沉积膜进行后处理而于膜中产生孔的方法来沉积的。此一种或多种有机硅化合物包括具有Si-Cx-Si或-Si-O-(CH2)n-O-Si-通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜包括在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键的膜。此低介电常数膜具有良好的机械力和黏性，以及期望的介电常数。

主权项

1.一种沉积低介电常数膜的方法，包括：引入一种或多种有机硅化合物到一腔室中，其中该一种或多种有机硅化合物包含具有以下通式结构的化合物：其中每一R⁵具有C_nH_2n+1、OC_nH_2n+1或C_mH_2m-1的通式，其中m是1至3，n是0至3，且e为1至3；引入一成孔剂到该腔室；在RF功率下，使该一种或多种有机硅化合物与该成孔剂反应，以在该腔室内的一基板上沉积低介电常数膜；且之后对该低介电常数膜施加后处理，以移除该低介电常数膜上的成孔剂。