| 发明名称 | 硅发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102210029B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN200980144433.1 | 申请日期 | 2009.09.08 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 楚树成;菅博文 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种硅发光元件，其特征在于，具备：第1导电类型的硅衬底，具有第1面和在该第1面的相反侧的第2面；绝缘膜，设置在所述硅衬底的所述第1面上；第2导电类型的硅层，设置在所述绝缘膜上，所述第2导电类型不同于所述第1导电类型；第1电极，设置在所述硅层上；以及第2电极，设置在所述硅衬底的所述第2面上，所述硅衬底的载流子浓度为5×1015cm‑3～5×1018cm‑3，所述硅层的载流子浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3，并且比所述硅衬底的载流子浓度大一个数量级以上，所述绝缘膜的膜厚是0.3nm～5nm。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||