发明名称 |
阵列基板、阵列基板制备方法及显示器件 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示器件。所述阵列基板包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域,像素区域对应设置有栅绝缘层,栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极,栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极,位于不同面上的第一像素电极和第二公共电极上下对应设置,位于不同面上的第一公共电极和第二像素电极上下对应设置;其中,像素电极与公共电极极性相反。本发明实现电极结构在加电压的情况下既有边缘场又有平面电场,可以直接使用IPS驱动方式来进行驱动,降低了驱动的实现复杂度,响应速度快,成本低,在不增加设计难度的情况下提高了透光率。 |
申请公布号 |
CN102981320A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210454655.7 |
申请日期 |
2012.11.13 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
秦广奎;柳在健 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种阵列基板,包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域,所述像素区域对应设置有栅绝缘层,其特征在于,所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极,所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极,位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置,位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置;其中,像素电极与公共电极极性相反。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |