| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管(10，10’)，其包括栅电极(14)、布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16)、通道层(18)和钝化层(24)。该通道层(18)具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB)，其中该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一部分上。该通道层(18)还具有包含至少一种预定的阳离子的第一氧化物组合物。该钝化层(24)邻接通道层(18)的所述相对的第二表面(SB)的至少一部分布置。钝化层(24)具有第二氧化物组合物，该第二氧化物组合物包括第一氧化物组合物的所述至少一种预定的阳离子和至少一种另外的阳离子，该另外的阳离子提高了钝化层(24)相对于通道层(18)的带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN102986034A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201080067881.9 | 申请日期 | 2010.07.02 |
| 申请人 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 发明人 | C.克努特森;R.普雷斯利;J.F.沃格;D.克什勒;R.霍夫曼 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 赵苏林;万雪松 |
| 主权项 | 薄膜晶体管(10，10’)，其包括：栅电极(14)；布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16)；通道层(18)，其具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB)，该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一部分上，该通道层(18)具有包含至少一种预定的阳离子的第一氧化物组合物；和钝化层(24)，其邻接通道层(18)的所述相对的第二表面(SB)的至少一部分布置，该钝化层(24)包含第二氧化物组合物，该第二氧化物组合物包含所述第一氧化物组合物的所述至少一种预定的阳离子和至少一种另外的阳离子，该另外的阳离子提高了钝化层(24)相对于通道层(18)的带隙。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||